よくあるご質問

【半導体の測定】
シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ガリウム・ヒ素(GaAs)等の半導体は室温においては赤外線を透過
します。つまり放射率が低いため温度測定が困難です。

しかし、温度が高くなるにつれて放射率が高くなり、Si は約600℃で0.6 程度になります。
600℃以下の温度を測定するためには、測定波長は1.1μm 以下または6.5μm 以上で行う必要があります。

1.1μm 以下の測定波長では温度による放射率の変化が少ないため、安定した温度測定が可能ですが
測定下限は400℃程度となります。一方6.5μm 以上の測定波長では、100℃以下の測定も可能ですが
温度による放射率の変化が大きいため測定誤差が大きくなります。

Si 分光放射率の温度依存性